9月16日から18日まで、インド・ベンガルールで開催される南アジア有数のエレクトロニクス見本市に出展
BCD、SiC、GaNなどのパワー半導体プロセス技術を紹介し、現地ファブレス企業を対象に新規顧客の開拓を図る
韓国・ソウル, 2026年8月20日 /PRNewswire/ -- 韓国を代表する8インチ専業ファウンドリのDB HiTekは、9月16日から18日（現地時間）までインド・ベンガルールで開催されるエレクトロニカ・インディア2026（electronica India 2026）に出展すると発表しました。同社は、現地顧客との関係を強化し、インド市場での存在感を高めることを目指しています。
インドの「シリコンバレー」と呼ばれるベンガルールで開催されるエレクトロニカ・インディア（electronica India）は、電子部品、システム、アプリケーション、関連ソリューションを網羅する南アジアを代表する見本市です。同イベントでDB HiTekは、主力のBCD（Bipolar-CMOS-DMOS）プロセスをはじめとする主要プロセス技術に加え、次世代のSiC（シリコンカーバイド）およびGaN（窒化ガリウム）のパワー半導体を紹介します。同社はまた、現地ファブレス企業との新規ビジネスの開拓を図ります。
政府による手厚い政策支援と活発な投資を背景に、インドの半導体エコシステムは急速に拡大しています。チップ設計サービスを中心に事業基盤を築いてきた現地企業が、自社の半導体製品の開発へと領域を広げており、この動きによってファウンドリサービスへの需要が高まると見込まれています。こうした市場動向を受け、DB HiTekはインドのファブレス企業との連携を強化しており、今回の展示会を通じて見込み顧客との接点をさらに広げる計画です。
展示会では、DB HiTekが競争優位性を確立しているパワー半導体プロセス技術に重点を置きます。主力のBCDプロセスの累計ウェハ出荷枚数は900万枚に達しており、DB HiTekは豊富な量産経験とプロセス技術の知見を活用して、自動車および産業分野の高付加価値用途への展開を進めています。
次世代パワー半導体について、DB HiTekはSiCおよびGaNプロセスの開発の進捗と量産化に向けたロードマップを紹介します。同社は最近、1,200V SiC MOSFETのプロセス認定を完了しており、今年12月までに650V GaNプロセスの認定を完了する予定です。現在、これらのプロセスを用いた製品の性能評価を戦略顧客とともに進めています。
さらにDB HiTekは、X線、グローバルシャッター、SPAD（単一光子アバランシェダイオード）などの特殊CIS技術のほか、ミックスドシグナル／RFプロセスを含むさまざまな特殊プロセス技術を紹介し、同地域における顧客基盤のさらなる拡大を図ります。
DB HiTekの関係者は、「インド市場では、現地ファブレス企業と半導体エコシステムの急速な成長によって、新たなビジネス機会が生まれています」と述べ、「エレクトロニカ・インディア（electronica India）への出展を通じて、現地顧客との関係を強化するとともに、パワー半導体と特殊プロセスにおける当社の強みを活かし、引き続き新たなビジネス機会を見いだしていきたいと考えています」と付け加えました。
（日本語リリース：クライアント提供）
PR Newswire Asia Ltd.
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